Electromagnetics and Ham Radio
Capacitance24
下図に上側の導線の表面の電位をプロットしてみました。Domain-Integral Vmaxが等分布電荷を与えた場合で、
Boundary-Integral D(x) Assign
が導線表面にDn(x)を与えた場合です。
両者に多少の違いがみられますが、
これは等分布電荷(例題1)の場合、
導線の表面では電束密度Dnが出来上がっていないため導線近傍ではそれが電位に
反映されていないのだと考えられます。
導線の表面から少し離れた円周上で比較すると、
両者の結果はかなり近くなっているはずです。
■例題2-2: 電位V=一定を境界条件としてD(x)を得る方法■
例題1の結果から、導線の周囲のV値は、大きく変動せず0.25~0.3の範囲でした。
そこで導線の表面のV値を一定の値と仮定して電束密度D(x)を計算します。
そして計算結果と下のGauss's Lawから電荷Qは簡単に計算できます。
よって、Q=1[C]になる電位Vを計算するのは難しいことではありません。
\begin{eqnarray}
\oint_{S}{\vm{D}\bullet\vm{n}ds}=Q
\end{eqnarray}
|
電荷がQ=1[C]のとき電位差はVの2倍でした。ですから繰り返し計算で電荷Qが1[C]になる電位差(δV)を探せばよいことになります。
電位差(δV)は、上側の導線表面の電位と下側の導線表面の電位の差です。話を明確にするためδVという記号を使っています。
実際の計算では、ε=1としました。また下図に示す様にV=0.5を上側の導線に与え、他方の導線には、V=-0.5を与えてあります。
計算されたD(x)から電荷Qを計算しその逆数(1/Q)が電荷Q=1[C]の時の電位差(δV)になります。
微分方程式が非線形ですと、境界でのVを変えながらQ=1[C]になるまで繰り返し計算になります。
しかし、今回解いているラプラス方程式は線形ですので、1/Qが求める電位Vになります。
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