Electromagnetics and Ham Radio
Capacitance19
上の図から分かるように、点
A
の計算結果(
Domain Integral VA
)の近似関数f
A
とf
1
の結果がほぼ同じになっています。 電荷を導線の中心に集中させた場合と電荷を等分布にした場合、点
A
では同じ電位差になるということです。 また、書物等では関数f
1
が使える条件としてD>>aとなっていますが、何と比較してこの条件が出てきたのでしょうか。
Domain Integral V B
は
B
点での電位差です。 下のf
B
が近似式です。関数f
7
とほぼ同じです。
\begin{eqnarray} f_B=\frac{1}{\pi}{log}_e\left(0.9912\left(\frac{D}{a}\right)-0.9563\right) \end{eqnarray}
その他、f
1
, f
2
, f
3
は書物等で見る近似式で、f
1
とf
2
は既に上で紹介してあります。そして、f
3
は以下の様になっています。
\begin{eqnarray} f_3=\frac{1}{\pi}{log}_e\left(\frac{D+\sqrt{D^2-4a^2}}{2a}\right) \end{eqnarray}
今回取り上げているペア導線ですが、D/a=2で2つの導線は、接触します。 ただし、導線の断面は円ですから、面接触でなく線接触になります。 面で接触していないので接触線及び点での電気的抵抗は無限大になります。 また、断面が円の2つ導線が限りなく近づいたとしても面を形成しないのでキャパシタンスが 無限大になることはないように思えますが、 上の
B
点の計算結果の電位差がゼロに近づくため、 キャパシタンスの定義(Q=CV)からキャパシタンスは無限大になりそうです。
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Inductance
Capacitance
Z
0
Exp
Balun
Coaxial
Off center fed DP
Helmholtz
FEM
BEM
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